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发布时间: 2023-12-28 22:46:09 来源:产品中心

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  FPGA最小系统是可以使FPGA正常工作的最简单的系统。它的外围电路尽量最少,只包括FPGA必要的控制电路。一般所说的FPGA的最小系统最重要的包含:FPGA芯片、下载电路、外部时钟、复位电路和电源。若需要使用NIOS II软嵌入式处理器还要包括:SDRAM和Flash。一般以上这些组件是FPGA最小系统的组成部分。

  介绍了一种基于FPGA的水声信号数据采集与存储系统的设计与实现,给出了系统的总体方案,并对各部分硬件和软件的设计进行了详细描述。系统以FPGA作为数据的控制处理核心,以存储容量达2 GB的大容量NAND型Flash作为存储介质。该系统主要由数据采集模块、数据存储模块和RS-232串行通信模块组成,具有稳定可靠、体积小、功耗低、存储容量大等特点,实验证明该系统满足设计要求。

  以AT45DB041B为例,将FPGA和大容量串行flash存储芯片的优点有效地结合起来,实现了FPGA对串行存储芯片的高效读写操作,完成了对大量测量数据的存储处理和与上位机的交换,并在某电力局项目工频场强环境监测仪中成功应用。

  FPGA能满足MP3总系统的价格、功耗和性能要求,它们灵活的结构使系统模块设计人员能在每种MP3播放机中最佳地实现各种功能。

  TFFS文件系统中的Core Layer内核层可将其他层连接起来协同工作;翻译层主要实现DOS和TFFS之间的交互、管理文件系统和Flash各个物理块的关系,同时支持TFFS的各种功能,如磨损均衡、错误恢复等;MTD层执行底层的程序驱动(map、read、write、erase等);socket层的名称来源于可以插拔的socket存储卡,主要提供与具体的硬件板相关的驱动。

  闪速存储器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用起来更便捷等诸多优点广泛地应用于办公设备、通信设施、医疗设施、家用电器等领域。介绍了Flash的使用方法,并给出了单片机与闪速存储器接口和程序设计中应注意的关键技术。

  Flash存储器又称闪速存储器,是20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型半导体不挥发存储器。它兼有RAM和ROM的特点,既可以在线擦除、改写,又能够在掉电后保持数据不丢失。NOR Flash是Flash存储器中最早出现的一个品种,与其他种类的Flash存储器相比具有以下优势:可靠性高、随机读取速度快,可以单字节或单字编程,允许CPU直接从芯片中读取代码执行等。因此NOR Flash存储器在嵌入式系统应用开发中占有很重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51单

  以基于TMS320C32 DSP开发的故障录波装置为模型,介绍AMD公司的Flash存储器Am29F040摘 要 的原理和应用;利用它的操作的流程实现断电后仍旧能将子程序保存在F1ash存储器内的特 性,结合TMS320C3x提出实现DSP系统上电后用户程序的自动引导的方法。

  芯片贴板后跑不起来?Flash里面的数据在使用的过程中莫名改变或不翼而飞?程序丢失可能没办法正常运行,从而造成总系统崩溃,下面我们来看看是什么原因让数据异常变化。

  据外媒报道,存储芯片市场上周出现降温杂音,麦格理分析师Daniel Kim提出反驳。 他认为下半年DRAM和NAND价格仍会续涨,有利美光、西部数据、三星、南亚科、力成、东芝和SK海力士股价。 据巴隆周刊(Barrons)报导,Daniel Kim发布报告说:「所有数据和消息都表明存储芯片市场今年下半年会比预期更强。 」他看好存储芯片价格会持续涨到今年底。 整体来说,Daniel Kim认为芯片价格持续上涨,即暴露看空论点的瑕疵。 他指出,建构数据中心的厂商「重视的是系统的表现而

  5月13日,从某一种意义上说,自上世纪90年代以来革新了用户收听音乐方式的播放格式MP3,如今已经正式退出了历史舞台。 外国媒体报道称,发明这种音乐播放格式的德国研究机构夫琅和费集成电路研究所(Fraunhofer Institute for Integrated Circuits)近日宣布,该机构已经终止了某些MP3相关专利的授权,从另一方面来看,这就从另一方面代表着该机构不想再对这种格式继续提供支持,因为2017年已有诸多更好的音乐存储和播放方式出现,因而MP3该寿终正寝了。

  2016年Flash原厂加速向3D NAND切换,除了研发成本增加,切换过程中也非常容易出现产能损失,同时还需要更新旧设备,增加新设备,以及扩大生产空间,因此导致Flash原厂NAND Flash产出减少,以及投资所需成本增加。

  储存型快闪存储(NANDFlash)军备竞赛再起,南韩存储大厂SK海力士决定再投资3.16兆韩元(约27亿美元),在南韩及大陆两地增加存储产能;紫光集团旗下的长江存储武汉厂,也预定本月底正式动土,都为2018年供给过于求再现,埋下隐忧。 目前各市调机构均看好明年NANDFlash仍处于供不应求局面,但南韩存储大厂SK海力士上周宣布将在南韩盖一座全新快闪存储厂,在中国大陆也将加码投资9,500亿韩元,扩充产能,希望市占率能赶上三星,但也为NANDFlash市场投下新变数。 稍早三星和美光也都

  SK海力士宣布将在忠清北道清州市新建一个存储器晶圆厂,满足NAND Flash市场增加的需求。新工厂将坐落在清州科技园。SK海力士下个月开始设计外部的建设,2017年8月到2019年6月期间完成洁净室的装备,总投资达2.2兆韩元(18.4亿美金)。 SK海力士表示,企业决定额外的新建一座Fab工厂,主要是为了确认和保证能够很好的满足NAND Flash市场需求的增长,以及引导向3D NAND发展。加之,考虑到通常建立一个半导体工厂需要超过2年,所以提前准备好。 SK海力士曾在20

  芯片贴板后跑不起来?Flash里面的数据在使用的过程中莫名改变或不翼而飞?程序丢失可能没办法正常运行,从而造成总系统崩溃,下面我们来看看是什么原因让数据异常变化。 1、用户代码对Flash的误操作不当引起程序丢失或被错误改写例如,在有对Flash写入或擦除操作的代码中,若用户误调用了写入或擦除函数或者由于程序跑飞而恰好执行了Flash擦除或写入函数,这自然会导致数据丢失或改变。针对以上情况,可以在程序中设置多个允许操作的变量,当执行写入或擦除操作时,对